SK하이닉스 96단 4D 낸드플래시 핵심 개발자들이 최근 준공한 청주 M15 공장에서 96단 512Gbit TLC 4D 낸드플래시 웨이퍼와 단품 및 솔루션 제품을 선보이고 있다. <사진=SK하이닉스 제공>
▲ SK하이닉스 96단 4D 낸드플래시 핵심 개발자들이 최근 준공한 청주 M15 공장에서 96단 512Gbit TLC 4D 낸드플래시 웨이퍼와 단품 및 솔루션 제품을 선보이고 있다. <사진=SK하이닉스 제공>

[폴리뉴스 조민정 기자] SK하이닉스가 ‘4D 낸드플래시’ 개발에 성공했다.

SK하이닉스는 4일 “세계 최초로 3D 낸드플래시에 주로 적용되는 CTF(Charge Trap Flash) 구조에 PUC(Peri Under Cell) 기술을 결합한 ‘96단 512기가비트급 TLC(트리플 레벨 셀) 4D 낸드플래시’를 개발했다”고 밝혔다.

CTF는 셀 간의 간섭을 최소화함으로써 성능과 생산성을 혁신적으로 개선한 기술로, 대부분 메모리 업체들이 3D 낸드에 채용하고 있다.

PUC는 데이터를 저장하는 셀 영역 하부에 셀 작동을 관장하는 주변부 회로를 배치하는 기술이다.

SK하이닉스는 해당 제품의 이름에 ‘4D’를 붙인 이유를 CTF 기반에서 처음으로 PUC 기술을 도입했다는 차별성을 강조하기 위해서라고 설명했다.

4D 낸드플래시는 기존 72단 512기가비트 3D 낸드보다 칩 크기는 30% 이상 줄어들었으면서도 웨이퍼 당 비트 생산은 1.5배가량 늘었다.

또한 동시 처리 가능한 데이터는 64킬로바이트에 달해 업계 최고 수준이며, 쓰기·읽기 성능도 72단 제품보다 각각 30%와 25% 향상됐다.

칩 크기가 줄어들었기 때문에 1개로 기존 256기가비트 3D 낸드 2개를 완벽하게 대체 가능해 생산원가 측면에서 유리하다고 회사 측은 강조했다.

또, 다중 게이트 절연막 구조와 새로운 설계 기술을 도입해 데이터 전송 속도를 높인 동시에 동작 전압은 1.2V(볼트)로 낮춰 기존 72단에 비해 전력효율도 개선했다고 덧붙였다.

지난 8월 미국 산타클라라에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋(FMS)’에서 4D 낸드 기반의 차세대 낸드플래시 솔루션 출시 계획을 밝혔던 SK하이닉스는 이번 4D 낸드 제품을 탑재한 1TB(테라바이트) 용량의 소비자용 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 연내에 선보이기로 했다.

72단 기반 기업용 SSD도 내년에 96단으로 전환해 경쟁력을 강화한다는 전략이다.

한편, 96단 4D 낸드 기반의 1테라비트급 TLC와 1테라비트급 QLC(쿼드 레벨 셀) 제품도 내년 중 출시될 예정이다.

김정태 낸드 마케팅 담당 상무는 “CTF 기반 96단 4D 제품은 업계 최고 수준의 원가경쟁력과 성능을 동시에 갖추었다”며 “연내 초도 양산에 이어 최근 준공한 충북 청주 M15 생산라인에서 본격 양산에 돌입할 계획”이라고 말했다.

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