[폴리뉴스 박재형 기자] SK하이닉스가 올해 D램과 낸드플래시 메모리 시설투자에 총 9조6000억 원을 투입한다.

SK하이닉스는 26일 최근 전 세계 D램 및 낸드플래시 메모리 수요 증가에 대응해 이 같이 투자한다고 밝혔다. 

이는 올해 초 밝혔던 시설투자 규모 7조 원에서 37% 늘린 것으로, 지난해 6조2900억 원에 비해서는 53%나 확대된 액수다.

SK하이닉스는 이날 공시를 통해 “시장환경 변화에 적극적으로 대응하고, 사업경쟁력 강화와 미래성장 기반 확보를 위해 해외법인을 포함한 올해 시설투자 계획을 변경한다”고 설명했다.

또한 SK하이닉스는 청주와 중국 우시(無錫)의 클린룸을 당초 계획보다 앞당긴 내년 4분기까지 구축을 마무리한다는 방침이다. 당초 청주는 오는 2019년 6월, 우시는 같은 해 4월까지 건설을 완료할 계획이었다.